熱CVD装置 | 神奈川県産業技術センター
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更新日:2015.08.21

熱CVD装置

お客様ご自身が使用して、試作・分析を行える機器は 『利用の仕方』欄にご利用OKがつけてあります。

熱CVD装置、減圧CVD装置、化学気相法薄膜作製装置、成膜装置

 

 
項目 内容
機器名 熱CVD装置、減圧CVD装置、化学気相法薄膜作製装置、成膜装置
利用の仕方 依頼試験(料金は原価計算、一回あたり6万~8万円程度)、受託研究等、御相談ください。
使用料No  
分類 生産加工機器
担当 電子技術部
仕様 最高加熱温度1000℃/抵抗加熱方式横型炉/ウエハサイズ3インチ以下/導入可能ガス モノシラン(SiH4)、ホスフィン(PH3)、ジボラン(B2H6)、アンモニア(NH3)、酸素(O2)、窒素(N2)、アルゴン(Ar)、水素(H2)/クラス1,000クリーンルーム内設置
用途 各種基板上へ多結晶シリコン薄膜(P型、N型、ノンドープ)、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜の作製ができます。減圧下において材料ガスを導入し、加熱することにより、ガスを分解し、基板上に成膜を行います。
手数料No
/試験名
 
製造社名 三栄理研(株)
規格 三栄理研製(特別仕様)
導入年度 平成01年度

  • 「使用料」とはご利用OKのついた機器をご使用いただいたときの料金です。ご利用OKのある機器でも、使用条件によって料金が変わる場合は空欄となっています。そのような機器の使用料は、お問い合わせ下さい。
  • 「手数料」とは当センター職員がお客様のご依頼を受けて試験等を実施する場合の料金です。この他にオーダーメードでもお受けできます。
  • 「試験名」とは当機器を利用して行う試験等の名称で、クリックすると詳細説明がご覧になれます。




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