プラズマCVD装置 | 神奈川県産業技術センター
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更新日:2015.08.21

プラズマCVD装置

お客様ご自身が使用して、試作・分析を行える機器は 『利用の仕方』欄にご利用OKがつけてあります。

プラズマCVD装置、(PCVD:Plasma Chemical Vapor Deposition)、プラズマ気相堆積法

 

 
項目 内容
機器名 プラズマCVD装置
利用の仕方  
使用料No  
分類 生産加工機器
担当 電子技術部
仕様 13.56MHz、500WRF電源/基板加熱、温度:350℃/基板:4インチ以下
用途 真空槽内に設けた並行平板型の電極に高周波を印加し、原料ガスやキャリアガスをプラズマで分解し、基板に析出して薄膜を形成する装置です。プラズマ気相堆積法(PCVD)により、シリコン窒化膜、アモルファスシリコン膜などの形成が可能。300℃程度の低温で成膜が可能。
手数料No
/試験名
 
製造社名 日本真空技術[高千穂アルバック(株)]
規格 アルバック
導入年度 昭和61年度

  • 「使用料」とはご利用OKのついた機器をご使用いただいたときの料金です。ご利用OKのある機器でも、使用条件によって料金が変わる場合は空欄となっています。そのような機器の使用料は、お問い合わせ下さい。
  • 「手数料」とは当センター職員がお客様のご依頼を受けて試験等を実施する場合の料金です。この他にオーダーメードでもお受けできます。
  • 「試験名」とは当機器を利用して行う試験等の名称で、クリックすると詳細説明がご覧になれます。




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