減圧CVD装置(エピタキシャル成長装置) | 神奈川県産業技術センター
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更新日:2015.08.21

減圧CVD装置(エピタキシャル成長装置)

お客様ご自身が使用して、試作・分析を行える機器は 『利用の仕方』欄にご利用OKがつけてあります。

減圧CVD装置(エピタキシャル成長装置)、化学気層成長装置、シリコン系薄膜成長装置

 

 
項目 内容
機器名 減圧CVD装置(エピタキシャル成長装置)
利用の仕方  
使用料No  
分類 生産加工機器
担当 化学技術部/電子技術部
仕様 石英製縦型コールドウォール式の単枚成長装置
最高温度:1700℃
使用圧力:0.1~760Torr
搭載基板:3インチウェハ1枚まで
使用ガス:SiH4、PH3、B2H6、NH3、H2、He、Ar、C2H2
用途 シリコン薄膜や炭化ケイ素(SiC)薄膜の堆積が可能です。
基板温度を変えることで、多結晶膜やエピタキシャル膜の成長が可能です。
これら薄膜への不純物ドーピングも可能です。

手数料No
/試験名
 
製造社名 日本真空技術(株)
規格 MOD-3000V(SP)
導入年度 平成06年度

  • 「使用料」とはご利用OKのついた機器をご使用いただいたときの料金です。ご利用OKのある機器でも、使用条件によって料金が変わる場合は空欄となっています。そのような機器の使用料は、お問い合わせ下さい。
  • 「手数料」とは当センター職員がお客様のご依頼を受けて試験等を実施する場合の料金です。この他にオーダーメードでもお受けできます。
  • 「試験名」とは当機器を利用して行う試験等の名称で、クリックすると詳細説明がご覧になれます。




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