微細加工・MEMS開発を支援する機器設備と開発事例

薄膜作製を中心に各種加工やセンサー等の開発をお手伝いします

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電子線描画装置

電子線描画装置 (株)エリオニクス ELS-S50
加速電圧 50KV
最小描画線幅10nm
つなぎ精度100nm
マスク5in、Φ4in
最大描画領域は90×62mm

両面マスクアライナ

両面マスクアライナ SUSS Microdot MA6-BSA
基板サイズ: 2cm ~ 6inφ
マスクサイズ 4,5,7in
位置合せ精度: 表面 ±0.5um 裏面 ±1 um
解像度: 最小線幅 0.75um

ウェットステーション

ウェットステーション
ドラフト(酸・アルカリ、レジストコート・現像、異方性エッチ、RCA洗浄、レジスト剥離)

ウェットステーション
リンサードライヤー

ウェットステーション
間仕切りスペース

ウェットステーション
超純水蛇口供給

イオンプレーティング装置(薄膜蒸着装置)

イオンプレーティング装置(薄膜蒸着装置)
イオン化やプラズマ化して金属薄膜や合金薄膜、 反応性成膜(酸化膜、窒化膜等)を作製

(株)昭和真空 SIP-700(特)型 3元電子銃(10kW)
パルスアーク蒸着
バイアス電圧:DC/パルス(3kV)、RF(500W)
基板温度:~600℃

ECRプラズマエッチャー

ECRプラズマエッチャー

(株)ダイヘン ESQF-20L
マイクロ波出力;1KW
RFバイアス;100W
基板加熱温度400℃
ガス:SF6,CF4,C3F8,H2,O2,Ar,N2
基板サイズ: ~3inφ

陽極接合装置

陽極接合装置
アユミ工業 AB-40特注品
基板サイズ:3inφ
加熱温度500℃
温度均一性±10℃
到達真空度10-6Torr
位置合わせ機構

マクトロンスパッタ装置(3元磁性膜対応)

マクトロンスパッタ装置(3元磁性膜対応)
アネルバ L-332S-FH
基板サイズ:~3inφ
ソース3基(強磁性体用2基他)
基板加熱:最高300℃

酸化拡散装置

酸化拡散装置
基板サイズ:~4inφ
加熱温度1100℃
ドライ・ウェット・パイロジェニック酸化

評価装置一覧

構造分析

X線回折(薄膜:逆格子マッピング、 XRR、粉末) 、EBSP(FE-SEM)、超音波顕微鏡

表面観察

FE-SEM、レーザー顕微鏡、SPM

表面分析

XPS, EPMA, SPM

光学評価

エリプソメータ、フォトルミネッセンス、ラマン分光、エネルギー分光(分光感度)、位相差

電気測定

ホール測定、半導体パラメータ測定(I-V,C-V等)

磁気測定

B-H測定、磁気抵抗、Kerr効果、薄膜磁歪

膜厚評価

触針式、光学干渉式、非接触式膜厚測定、エリプソメータ、レーザー顕微鏡

実装関係一覧

電子基板用インクジェットプリンター、ペースト精密塗布装置、金属ナノペースト接合装置 超音波映像装置、X線マイクロフォーカス撮像装置、X線CT装置 はんだ継手強度試験、ダイシェア試験、ワイヤーボンディング強度試験、パワーサイクル試験

 

開発事例

バイオ・化学系 電気化学センサ(ドーパミン、ヒスタミン)、グルコース検出用マルチリアクター、μカラムチップ搭載ラクトースセンサ、マイクロ燃料電池等。
物理センサ系 

マイクロ風洞型風速計、シリコン歪センサ、近赤外線IDシリコンセンサ、薄膜磁気センサ、導波路型光電界センサ、カルマン渦流量計用センサ、モスアイ無反射構造4H-SiC紫外線センサ等、白金薄膜温度センサ。

MEMS関係    

シリコンオプティカルベンチ、シリコンブリッジ赤外線光源、ムービングマグネット式磁気駆動型光スキャナ、LIGA like プロセスによるNi電鋳、 PDMS・PMMA成形等

その他 Ni-W金型によるガラスのインプリント成形、ファジー推論を取り入れた色識別装置
各種薄膜作成

各種金属膜、a-Si:H, YBCO, BSCCO, TiN, DLC, グラフェン, ダイヤモンド, SiC, FeSi, SiO2, HfO, MgO, YSZ, Al2O3, Ta2O5, TiO, ZnO, ITO, PLZT, Ni-Fe,Ni-Fe-Mo-Mn, Co-Pt, Co-Fe等

(膜形成法:真空蒸着、反応性イオンプレーティング、反応性スパッタリング、パルスレーザー蒸着、熱CVD等)

シリコンオプティカルベンチ

シリコンオプティカルベンチ ピッチ誤差0.3µm

SiC無反射構造

シリコンブリッジ赤外線光源

シリコンブリッジ赤外線光源 光源素子の温度時間応答特性

磁気駆動型光スキャナ

マイクロカラムチップ搭載ラクトースセンサ

最近の仕事

電子線レジスト近接効果補正の簡素的な手法の検討

電子線レジスト近接効果補正の簡素的な手法の検討
ハーフピッチ50nmのLine&Spaceパターンのドーズ量依存性

電子線レジスト近接効果補正の簡素的な手法の検討
ハーフピッチ200nmのリフトオフ構造

電子線レジスト近接効果補正の簡素的な手法の検討
ハーフピッチ25nmEB描画

アルミ箔へのナノプリント

アルミ箔へのナノプリント
アルミ箔へのナノプリント

SIP:超3D 造形技術プラットフォーム (SIPのHPはこちら)

青色半導体レーザーを用いた普及型マイクロ光造形法

  • 廉価・コンパクトな装置でサブミクロン加工線幅を達成(加工線幅: 0.5〜10μm)
  • 低倍率レンズを用いてcmサイズの3D樹脂モデルも造形可能
  • KISTECに設置・利用開始