溝の口支所:手数料及び使用料表

1.受託分析料金(消費税等8%を含みます)

(1)電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K1010 電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)5万倍以下 観察倍率5万倍以下 1条件につき 19,440

川崎技術支援部

K1015 電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)5万倍以下 条件追加 観察倍率5万倍以下 1条件追加につき  4,320
K1020 電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)5万倍を超えて10万倍以下 観察倍率5万倍を超えて10万倍以下 1条件につき 28,080
K1025 電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)5万倍を超えて10万倍以下 条件追加 観察倍率5万倍を超えて10万倍以下 1条件追加につき 8,640
K1030 電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM) 10万倍を超えるもの 観察倍率10万倍を超えるもの 1条件につき 49,680
K1035 電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM) 10万倍を超えるもの 条件追加 観察倍率10万倍を超えるもの 1条件追加につき 14,040
K1040 FE-SEM エネルギー分散型X線分析装置(EDS) 1条件につき 14,040
K1041 FE-SEM エネルギー分散型X線分析装置(EDS)  条件追加 1条件追加につき 4,320
K1042 FE-SEM エネルギー分散型X線分析装置(EDS)  面分析 面分析1条件につき 15,120
K1050 電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)  SEM観察 10~15視野 観察倍率5万倍を超えて10万倍以下 1条件につき 108,000
K1052 電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)  SEM観察 16~30視野 観察倍率5万倍を超えて10万倍以下 1条件追加につき 162,000
K1055 電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM) SEM観察 条件追加 観察倍率10万倍を超えるもの 1条件につき 10,800

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(2)高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM / EDS)

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K1310

高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)SEM観察 5万倍以下 

観察倍率5万倍以下 1試料1視野観察につき  19,440

川崎技術支援部
E0011

K1315 高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)SEM観察 5万倍以下 1視野追加 観察倍率5万倍以下 同一試料において1視野追加観察につき 4,320 川崎技術支援部
E0012
K1320 高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)SEM観察 5万倍を超えて10万倍以下  観察倍率5万倍を超えて10万倍以下 1試料1視野観察につき  28,080 川崎技術支援部
E0013
K1325 高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)SEM観察 5万倍を超えて10万倍以下 1視野追加 観察倍率5万倍を超えて10万倍以下 同一試料において1視野追加観察につき 8,640 川崎技術支援部
E0014
K1330 高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)SEM観察 10万倍を超えるもの  観察倍率10万倍を超えるもの 1試料1視野観察につき 49,680 川崎技術支援部
E0015
K1335 高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)SEM観察 10万倍を超えるもの 1視野追加 観察倍率10万倍を超えるもの 同一試料において1視野追加観察につき 14,040 川崎技術支援部
E0016
K1392 高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)SEM観察 10~15視野 1試料の観察視野が10~15視野につき(観察倍率関係なし。但し、設定可能な試料に限る) 108,000 川崎技術支援部
E0017
K1395 高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)SEM観察 16~30視野 1試料の観察視野が16~30視野につき(観察倍率関係なし。但し、設定可能な試料に限る) 162,000 川崎技術支援部
E0018
K1342 高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)SEM観察 低真空モード 低真空モードの使用    10,800 川崎技術支援部
K1343 高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)SEM観察 STEM 透過像観察機能(STEM)の使用   10,800
K1340 高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)SEM観察 1条件追加 1条件追加につき   10,800
K1345 高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM/EDS)SEM観察 Arクリーナー Arクリーナーの使用10分につき 2,160
K1350 高分解能分析FE-SEM エネルギー分散型X線分析装置(EDS) 点分析 点分析1視野1箇所につき 16,200 
K1351 高分解能分析FE-SEM エネルギー分散型X線分析装置(EDS) 点分析追加 点分析同一視野内で1箇所追加につき  5,400
K1352

高分解能分析FE-SEM エネルギー分散型X線分析装置(EDS) 線分析

線分析同一視野1箇所につき 21,600
K1353 高分解能分析FE-SEM エネルギー分散型X線分析装置(EDS) 線分析追加 線分析同一視野内で1箇所追加につき 8,208
K1354 高分解能分析FE-SEM エネルギー分散型X線分析装置(EDS) 面分析 面分析1視野につき 32,400
K1356 高分解能分析FE-SEM エネルギー分散型X線分析装置(EDS) 各種データ処理 各種データ処理1条件につき 5,400

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(3)集束イオンビーム装置(FIB)

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K1640 集束イオンビーム装置(FIB) 1時間以内 32,400 川崎技術支援部
K1641 集束イオンビーム装置(FIB) 追加 追加1時間あたり

28,080

K1642

集束イオンビーム装置(FIB)(連続自動加工)

追加1時間あたり(但し、設定可能なものに限る) 16,200
K1650 FIBオプション
カーボン膜デポジション

10分あたり

2,160

K1651 FIBオプション
タングステン膜デポジション
10分あたり 2,160
K1660 FIBオプション
マイクロプロービングシステム
1時間あたり 17,280
K1670 FIBオプション
アルゴンイオンミリング
30分あたり

10,800

K1680 FIB付属のSEM 1試料1視野観察につき 19,440
K1681 FIB付属のSEM 視野追加 同一試料において1視野追加観察につき 4,320
K1682 FIB付属のSEM 条件追加 同一試料において1条件追加につき 4,320
K1690 FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 点分析 点分析1視野1箇所につき 16,200
K1691 FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 点分析追加 点分析同一視野内で1箇所追加につき 5,400
K1694 FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 線分析 線分析1視野1箇所につき 21,600
K1695 FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 線分析追加 線分析同一視野内で1箇所追加につき 8,208
K1692 FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 面分析 面分析1視野につき 32,400
K1696 FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 各種データ処理 各種データ処理1条件につき 5,400
K1672 FIB-SEMによる 三次元再構築用連続断面画像の取得 1測定につき 108,000
K1674 FIB-SEMによる 三次元再構築用連続断面画像の取得 条件追加 1条件追加につき 10,800
K1730 FIB-SEMによる 微小試験片の作製 標準 標準的な作製(SEM観察含む)5本につき 172,800
K1732 FIB-SEMによる 微小試験片の作製 複雑 複雑な作製(SEM観察含む)5本につき 259,200
K1735 FIB-SEMによる 微小試験片の作製 条件追加 1条件追加につき 10,800
K1610 マニピュレーターによるサンプリング 1試料につき 5,184
K1630 レーザーマーキング 15分以内  4,752
K1635 レーザーマーキング 追加 追加15分あたり 3,888

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(4)マルチ解析用集束イオンビーム装置(FIB)

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K1940 マルチ解析用集束イオンビーム装置(FIB)  1時間以内 32,400 川崎技術支援部
K1941 マルチ解析用集束イオンビーム装置(FIB) 追加 追加1時間あたり 28,080
K1942 マルチ解析用集束イオンビーム装置(FIB) (連続自動加工) 追加1時間あたり(但し、設定可能なものに限る) 16,200
K1950 マルチ解析用FIBオプション カーボン膜デポジション 10分あたり 2,160
K1951 マルチ解析用FIBオプション プラチナ膜デポジション 10分あたり 2,160
K1955 マルチ解析用FIBオプション Easy Lift 1時間あたり 17,280
K1960 マルチ解析用FIB付属のSEM 1試料1視野観察につき 19,440
K1961 マルチ解析用FIB付属のSEM  視野追加 同一試料において1視野追加観察につき 4,320
K1962 マルチ解析用FIB付属のSEM  条件追加 同一試料において1条件追加につき 4,320
K1965 マルチ解析用FIB付属のSEMオプション 低真空 低真空モードの使用 10,800
K1970 マルチ解析用FIB付属のSEMオプション  EDS分析測定  点分析 点分析1視野1箇所につき  16,200
K1971 マルチ解析用FIB付属のSEMオプション  EDS分析測定  点分析追加 点分析同一視野内で1箇所追加につき  5,400
K1974 マルチ解析用FIB付属のSEMオプション  EDS分析測定  線分析 線分析1視野1箇所につき 21,600
K1975 マルチ解析用FIB付属のSEMオプション  EDS分析測定  線分析追加 線分析同一視野内で1箇所追加につき 8,208
K1976 マルチ解析用FIB付属のSEMオプション  EDS分析測定  面分析 面分析1視野につき 32,400
K1978 マルチ解析用FIB付属のSEMオプション  EDS分析測定  各種データ処理 各種データ処理1条件につき 5,400
K1980 マルチ解析用FIB付属のSEMオプション  EDS分析測定  結晶方位マップ 結晶方位マップ1視野につき  44,280
K1981 マルチ解析用FIB付属のSEMオプション  EBSD分析測定  視野追加 同一試料で1視野追加につき 10,800
K1984 マルチ解析用FIB付属のSEMオプション  EBSD分析測定  条件追加 1条件追加につき 10,800
K1985 マルチ解析用FIB付属のSEMオプション  EBSD分析測定  各種データ処理 各種データ処理1条件につき 5,400
K1990 マルチ解析用FIB-SEMによる 三次元再構築用連続断面画像の取得 1測定につき 108,000
K1995 マルチ解析用FIB-SEMによる 三次元再構築用連続断面画像の取得  条件追加 1条件追加につき  10,800
K1930 マルチ解析用FIB-SEMによる 微小試験片の作製  標準 標準的な作製(SEM観察含む)   5本につき 172,800
K1932 マルチ解析用FIB-SEMによる 微小試験片の作製  複雑 複雑な作製(SEM観察含む)   5本につき 259,200
K1935 マルチ解析用FIB-SEMによる 微小試験片の作製  条件追加 1条件追加につき 10,800

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(5)画像解析システム

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K1832 画像解析システム 三次元再構築 1測定対象につき 54,000 川崎技術支援部
K1834 画像解析システム 三次元データ処理 1条件追加につき 10,800
K1840 画像解析システム 画像解析 1測定対象につき 21,600
K1842 画像解析システム データ処理 1条件追加につき 5,400

 

(6)電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)

(ア) TEM観察

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K1440 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 10万倍以下 倍率 10万倍以下
 1視野につき 
17,280 川崎技術支援部
K1445 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 10万倍以下  1視野増 倍率 10万倍以下
 1視野増すごとに
8,640
K1441

電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 50万倍以下

倍率 50万倍以下 1視野につき  22,680
K1446 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 50万倍以下  1視野増 倍率 50万倍以下 1視野増すごとに 12,960
K1450 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 200万倍以下 倍率 200万倍以下 1視野につき 31,320
K1455 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 200万倍以下  1視野増  倍率 200万倍以下 1視野増すごとに 17,280
K1451 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 201万倍以上 倍率 201万倍以上  1視野につき 45,360
K1456 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 201万倍以上  1視野増
倍率 201万倍以上   1視野増すごとに 27,000
K1460 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 試料傾斜調整 試料傾斜調整 1条件ごとに 11,880

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(イ) 電子線回折

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K1470 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 制限視野回折 制限視野回折 1視野につき 15,120 川崎技術支援部
K1471 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 微小領域回折 微小領域回折 1視野につき 27,000
K1472 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 明視野像 明視野像 1視野につき 17,280
K1473 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 暗視野像 暗視野像 1視野につき 31,320

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(ウ) エネルギー分散型X線分析装置(EDS)

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K1510 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)点分析 点分析 1試料1測定点につき 25,920 川崎技術支援部
K1515 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)点分析追加 分析 同一試料において1測定点追加につき
5,400
K1540 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)定量分析 定量分析 1試料1測定点につき 21,600
K1545 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)定量分析追加 定量分析 同一試料において1測定点追加につき 6,480
K1520 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS) 線分析 線分析 1測定5元素までごとに 64,800
K1530 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS) 面分析 面分析 1視野5元素ごとに、または2時間につき 100,440

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(エ) データ処理

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K1550 TEM データ処理 各種データ処理 1条件につき 10,800 川崎技術支援部

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(オ) 試料調製

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K1410 TEM 試料調整 分散法 ふりかけ法 ふりかけ法 1試料につき 5,400 川崎技術支援部
K1411 TEM 試料調整 分散法  懸濁法 懸濁法 1試料につき 10,800
K1415 TEM 試料調整 電解研磨法 1試料につき 24,840
K1420 TEM 試料調整 イオンミリング法 易 1試料につき 97,200
K1421 TEM 試料調整 イオンミリング法 中 1試料につき 194,400
K1422 TEM 試料調整 イオンミリング法 難 1試料につき 291,600
K1425 TEM 試料調整 低エネルギーイオンミリング(ジェントルミル) 1試料1条件につき 12,960
K1432 TEM 試料調整 電子染色 1試料につき 25,920
K1433 TEM 試料調整 樹脂包埋 1試料につき 12,960
K1620 TEM 試料調整 FIB-リフトアウト法 1試料につき 78,840
K1621 TEM 試料調整 FIB-リフトアウト法 条件追加 1条件追加につき 28,080
K1625 TEM 試料調整 FIB-マイクロプロービング法
低加速ガリウムイオン
低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき 108,000
K1663 TEM 試料調整 FIB-マイクロプロービング法
低加速ガリウムイオン 試料作製のみ
低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき(試料作製のみ) 125,280
K1626 TEM 試料調整 FIB-マイクロプロービング法
低加速ガリウムイオン 条件追加
低加速ガリウムイオン仕上げ 1条件追加につき 28,080
K1627 TEM 試料調整 FIB-マイクロプロービング法
アルゴンイオンミリング
アルゴンイオンミリング仕上げ 1試料につき 122,040
K1666 TEM 試料調整 FIB-マイクロプロービング法
アルゴンイオンミリング 試料作製のみ
アルゴンイオンミリング仕上げ 1試料につき(試料作製のみ) 139,320
K1628 TEM 試料調整 FIB-マイクロプロービング法
アルゴンイオンミリング 条件追加
アルゴンイオンミリング仕上げ 1条件追加につき 28,080

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(7)画像観察

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K5110 金属組織写真撮影 写真1枚につき 9,504 川崎技術支援部
E0031
K5111 写真焼増し 写真1枚につき 324
E0040
K5112 外観写真撮影 写真1枚につき 4,752
E0050
K5113 マクロ組織写真 写真1枚につき 7,128
E0060
K5114 写真撮影1ヶ所増すごとに 同一試料で1ヶ所増すごとに 2,700
E0070
K5120 顕微鏡試料調製(第1種): 容易なもの 1試料につき 1,728
E0080
K5121 顕微鏡試料調製(第2種): 標準的なもの 1試料につき 3,240
E0090
K5122 顕微鏡試料調製(第3種): 比較的複雑なもの 1試料につき 6,480
E0091
K5123 顕微鏡試料調製(第4種): 非常に複雑なもの 1試料につき 9,504
E0092
K5330 硬さ試験 1点につき 972
E0180
K5340 硬さ試験試料調整(第1種): 容易なもの 1試料につき 1,728 川崎技術支援部
K5341 硬さ試験試料調整(第2種): 比較的容易なもの 1試料につき 3,240
K1910 デジタルマイクロスコープ 画像1枚につき 4,104
K1720 マイクロフォーカスX線検査装置  30分以内 6,480
K1725 マイクロフォーカスX線検査装置 追加 追加15分あたり 2,808

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(8)表面・成分分析装置

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K5002

X線光電子分光分析(XPS) 表面分析(ワイドスキャンのみ

1試料1ヶ所につき(ワイドスキャンのみ) 25,920
 
 
川崎技術支援部
K5005 X線光電子分光分析(XPS) 表面分析 (ワイドスキャンのみ 追加試料)
追加1試料1ヶ所につき(ワイドスキャンのみ) 20,520
K5007

X線光電子分光分析(XPS) 表面分析 (ワイドスキャンのみ 条件増)

 

1条件増すごとに(ワイドスキャンのみ) 5,400
K5011 X線光電子分光分析(XPS) 表面分析(ワイドおよびナロースキャン)  1試料1ヶ所につき(ワイドおよびナロースキャン) 46,440
K5012 X線光電子分光分析(XPS) 表面分析(ワイドおよびナロースキャン 条件増) 1条件増すごとに (面分析、状態分析加算等) 10,800
K5010 X線光電子分光分析(XPS) 深さ方向分析 1試料1条件につき (主成分のみ、深さ0.2μmまで) 83,160
K5015 X線光電子分光分析(XPS) 深さ方向分析 条件増 1条件増すごとに 10,800
K5050 フーリエ変換赤外分光分析(FT-IR) 簡易な測定 1試料1条件につき 9,720
K5055 フーリエ変換赤外分光分析(FT-IR) 1試料1条件につき 18,684

川崎技術支援部
E2021

K5056 フーリエ変換赤外分光分析(FT-IR) 条件追加 1条件追加につき 9,720 川崎技術支援部
K1210 微小部蛍光X線分析(XRF) 1試料1条件につき 7,560
K1211 微小部蛍光X線分析(XRF) 条件追加 1条件追加につき 3,240
K1212 微小部蛍光X線分析(XRF) 面分析 面分析 1条件につき(5元素まで) 12,960
K1213 微小部蛍光X線分析(XRF) 面分析 条件追加 面分析 1条件追加につき 2,160

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(9)光触媒JIS試験

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K3010 光触媒の窒素酸化物除去性能試験 1試料につき 62,640 川崎技術支援部
K3015 光触媒の窒素酸化物除去性能試験
-再生率-
1試料につき 19,440
K3050 光触媒のアセトアルデヒド除去性能試験 1試料につき 45,360
K3055 光触媒のアセトアルデヒド除去性能試験
-バッグ法
1試料につき 39,960
K3060 光触媒のトルエン除去性能試験 1試料につき 42,120
K3070 光触媒のホルムアルデヒド除去性能試験 1試料につき 57,240
K3020 光触媒のセルフクリーニング性能試験 
湿式分解性能の測定
1試料につき 43,200
K3030 光触媒のセルフクリーニング性能試験 
水接触角の測定
1試料につき 63,720
K3080 光触媒の水浄化性能試験(JISR1704準拠)(明条件のみ) 1試料につき 77,760
K3085 光触媒の水浄化性能試験(JISR1704準拠)(暗条件のみ) 1試料につき 77,760
K3120 その他光触媒性能試験 1時間につき 6,480
K3105 光触媒性能試験JIS試験条件不成立時
(試験途中中止時)
1試料につき 21,600
K3040 水接触角の測定(光触媒JIS試験以外) 1試料1点につき 4,320
K3045 水接触角の測定(光触媒JIS試験以外) 追加 1点追加につき 1,080
K3110 光触媒試料調製 処理時間30分につき 3,240

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(10)太陽電池計測

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K3310 太陽電池のIPCE測定 1試料につき 37,800 川崎技術支援部
K3312 太陽電池のIPCE測定 追加 1試料または1条件追加につき 10,584
K3320 太陽電池のI-V測定 1試料につき 38,880
K3322 太陽電池のI-V測定 追加 1試料または1条件追加につき 10,800
K3330 太陽電池のI-V測定 LED特定波長 1試料につき 28,080
K3332 太陽電池のI-V測定 LED特定波長 追加 1試料または1条件追加につき 8,208
K3340 蛍光灯式シミュレータによるI-V測定 1試料につき 10,800
K3342 蛍光灯式シミュレータによるI-V測定 追加 1試料または1条件追加につき 3,888
K3350 XeランプSSによる連続照射 24時間につき 20,520
K3352 XeランプSSによる連続照射 追加 追加24時間につき 18,360
K3360 LED-SSによる特定波長の光照射 24時間につき 28,080
K3362 LED-SSによる特定波長の光照射 追加 追加24時間につき 25,920
K3370 蛍光灯式シミュレータによる連続照射 24時間につき 21,600
K3372 蛍光灯式シミュレータによる連続照射 追加 追加24時間につき 19,440
K3390 連続光照射に伴う簡易なI-V測定 1回につき 3,240
K3395 太陽電池のインピーダンス測定 1試料につき 12,960
K3420 発電面積規定用遮光マスク(面積測定済み) 1枚につき 1,728
K3431 紫外線照射試験機(東洋精機製作所 Atlas UV test) 24時間につき 5,616
K3434 紫外線照射試験機(東洋精機製作所 Atlas UV test)
連続運転100時間
連続運転100時間につき 20,520
K3436 紫外線照射試験機UV-B,C(東洋精機製作所 Atlas UV test)
24時間につき 6,696
K3437

紫外線照射試験機UV-B,C(東洋精機製作所 Atlas UV test)  連続100時間

連続運転100時間につき 22,896
K3440 小型Xe耐光試験機(東洋精機製作所 Atlas SUNTEST XLS+) 24時間につき 6,912
K3442 小型Xe耐光試験機(東洋精機製作所 Atlas SUNTEST XLS+)
連続運転100時間
連続運転100時間につき 23,760
K3450 紫外・可視分光光度計による透過率・反射率測定 1試料1条件につき 5,832
K3452 紫外・可視分光光度計による透過率・反射率測定 追加 追加1条件につき 3,456
K3460 分光照射計による照度、演色性、色濃度などの測定 1試料1測定(5回測定)につき 1,944
K3470 分光放射照度計によるスペクトル測定 1測定につき 9,504
K3610 2灯式SSによる連続照射 24時間につき 48,060
K3612 2灯式SSによる連続照射 追加 追加24時間につき 48,656
K3620 低照度環境下におけるI-V測定 1条件につき 4,968
K3622 低照度環境下におけるI-V測定 追加 1試料または1条件追加につき 2,376
K3630 低照度光源による光照射 1時間につき 3,780
K3632 低照度光源による光照射 24時間 24時間につき 27,216
K3640 無抵抗電流計による電流値測定 1時間につき 1,080
K3642 無抵抗電流計による電流値測定 24時間 24時間につき 7,884
K3650 データロガーによる測定 1時間につき 1,080
K3652 データロガーによる測定 24時間 24時間につき 8,100
K3655 オシロスコープ 1時間につき 1,944
K3657 オシロスコープ 24時間 24時間につき 9,288
K3660 その他太陽電池性能試験に関わる作業 1時間につき 6,480

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(11)温湿度環境試験

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K5410 恒温恒湿槽(中) 24時間まで 17,820

川崎技術支援部E1230

K5411 恒温恒湿槽(中) 24時間増 24時間増すごとに 7,236

E1240

K5415 恒温恒湿槽(中) サイクル 24時間まで 22,680

E1270

K5416 恒温恒湿槽(中) サイクル24時間増 24時間増すごとに 8,208

E1280

K5420 恒温恒湿槽(小) 24時間まで 15,120 川崎技術支援部
K5421 恒温恒湿槽(小) 24時間増 24時間増すごとに 5,400
K5425 恒温恒湿槽(小) サイクル 24時間まで 19,440
K5426 恒温恒湿槽(小) サイクル24時間増 24時間増すごとに 6,264
K5430 恒温槽 24時間まで 10,152
K5431 恒温槽 24時間増 24時間増すごとに 5,400
K5440 プレッシャークッカー試験 24時間まで 17,820

E1320

K5441 プレッシャークッカー試験 24時間増 24時間増すごとに 11,448

E1330

K1810 冷熱衝撃試験 (中) 8時間まで 9,504

E1350

K1811 冷熱衝撃試験 (中) 8時間増 8時間増すごとに 4,968

E1360

K5450 冷熱衝撃試験 (小) 8時間まで 8,640 川崎技術支援部
K5451 冷熱衝撃試験 (小) 8時間増 8時間増すごとに 4,320

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(12)試料前処理(前項までの依頼試験を実施するものに限る)

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K4120 試料前処理(切断、導電処理等) 処理時間30分につき 1,512 川崎技術支援部
K4210 精密機械研磨法 A:容易な試料 1試料につき 10,800
K4212 精密機械研磨法 B:標準的な試料 1試料につき 21,600
K4214 精密機械研磨法 C:複雑な試料 1試料につき 32,400
K4216 精密機械研磨法 D:非常に複雑な試料 1試料につき 43,200
K4217 精密機械研磨法 条件追加 1条件追加につき 5,400
K4220 試料の撮影 1試料1視野につき 2,160
K4230 断面イオンミリング法 (小さい試料用)
A:容易な試料
1試料につき 21,600
K4232 断面イオンミリング法 (小さい試料用)
B:標準的な試料
1試料につき 43,200
K4234 断面イオンミリング法 (小さい試料用)
C:複雑な試料
1試料につき 64,800
K4236 断面イオンミリング法 (小さい試料用)
D:非常に複雑な試料
1試料につき 86,400
K4237 断面イオンミリング法 (小さい試料用)
条件追加
1条件追加につき
5,400
K4238 断面イオンミリング法 (小さい試料用)
クライオ
クライオの使用  1試料につき
5,400
K4240 平面イオンミリング法 (小さい試料用)
A:容易な試料
1試料につき 10,800
K4242 平面イオンミリング法 (小さい試料用)
B:標準的な試料
1試料につき 21,600
K4244 平面イオンミリング法 (小さい試料用)
C:複雑な試料
1試料につき 32,400
K4246 平面イオンミリング法 (小さい試料用)
D:非常に複雑な試料
1試料につき 43,200
K4247 平面イオンミリング法 (小さい試料用)
条件追加
1条件追加につき 5,400
K4248 平面イオンミリング法 (小さい試料用)
クライオ
クライオの使用 1試料につき 5,400
K4250 断面イオンミリング法 (大きい試料用)
A:容易な試料
1試料につき 21,600
K4252 断面イオンミリング法 (大きい試料用)
B:標準的な試料
1試料につき 43,200
K4254 断面イオンミリング法 (大きい試料用)
C:複雑な試料
1試料につき 64,800
K4256 断面イオンミリング法 (大きい試料用)
D:非常に複雑な試料
1試料につき 86,400
K4257 断面イオンミリング法 (大きい試料用)
条件追加
1条件追加につき 5,400
K4258 断面イオンミリング法 (大きい試料用)
クライオ
クライオの使用 1試料につき 5,400
K4260 平面イオンミリング法 (大きい試料用)
A:容易な試料
1試料につき 10,800
K4262 平面イオンミリング法 (大きい試料用)
B:標準的な試料
1試料につき 21,600
K4264 平面イオンミリング法 (大きい試料用)
C:複雑な試料
1試料につき 32,400
K4266 平面イオンミリング法 (大きい試料用)
D:非常に複雑な試料
1試料につき 43,200
K4267 平面イオンミリング法 (大きい試料用)
条件追加
1条件追加につき 5,400
K4270 イオンビームスパッタ 1試料につき 5,400
K4280 ウルトラミクロトーム法 A:容易な試料 1試料につき 21,600
K4282 ウルトラミクロトーム法 B:標準的な試料 1試料につき 43,200
K4284 ウルトラミクロトーム法 C:複雑な試料 1試料につき 64,800
K4286 ウルトラミクロトーム法 D:非常に複雑な試料 1試料につき 86,400
K4287 ウルトラミクロトーム法 条件追加 1条件追加につき 5,400
K4288 ウルトラミクロトーム法 クライオ クライオの使用
1試料につき
54,000
K4310 カーボンコーティング 1試料につき 3,024
K4320 金コーティング 1試料につき 3,024
K4330 白金コーティング 1試料につき 3,024
K4340 パラジウムコーティング 1試料につき 3,024
K4350 オスミウムコーティング 1試料につき 3,024
K4170 分散法 ふりかけ法 1試料につき 5,400
K4171 分散法 懸濁法 1試料につき 10,800
K4175 電解研磨法 1試料につき 24,840
K4176 イオンミリング法 易
1試料につき 97,200
K4177 イオンミリング法  1試料につき 194,400
K4178 イオンミリング法  1試料につき 291,600
K4180 低エネルギーイオンミリング(ジェントルミル) 1試料1条件につき 12,960
K4185 樹脂包埋 1試料につき 12,960
K4192 電子染色 1試料につき 25,920
K4195 その他特殊処理 1試料につき 16,200
K4196 その他特殊処理 条件追加 1条件追加につき 16,200

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(13)成績書の複本の交付

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K9030 成績書の複本の交付 1通につき (写真を含む場合は別に加算する) 300 川崎技術支援部
E5350

2. 技術開発受託報告書の作成(消費税等8%を含みます)

No. 項目 単位 手数料 担当部名
K9050 技術開発受託報告書の作成(データ処理) 基本単位 (難易度により加算あり)  2,700 川崎技術支援部
K9060 技術開発受託報告書の作成(考察) 基本単位 (難易度により加算あり) 5,400 川崎技術支援部
K9070 技術開発受託報告書の複本 1通につき
(写真を含む場合は別に加算する)
300 川崎技術支援部

3. 機器使用料(消費税等8%を含みます)

(1)観察、分析、評価機器
No. 設備機器名 メーカー・形式 単位 使用料 担当部名
K2015 FE-SEM/EDS S-4800 日立ハイテクノロジーズ
S-4800
1時間あたり 37,800 川崎技術支援部
K2411 FE-TEM/EDS EM-002BF トプコン EM-002BF 1時間あたり 55,080
K2425 低エネルギーイオン研磨装置 Model IV5
(ジェントルミル)
リンダ社 Model IV5
(ジェントルミル)
1時間あたり 10,800
K2642 集束イオンビーム装置(FIB) XVision200TB SII社 XVision200TB 1時間あたり 52,380
K2660  TEM用グリッド  1個あたり 3,672
K2681 マルチ解析用集束イオンビーム装置 Scios  FEI社 Scios 1時間あたり 50,760
K2690  TEM用グリッド Scios使用 1個あたり 3,672
K2610 マニピュレーター SISA-30TI-2 ナリシゲ SISA-30TI-2 30分あたり 2,808
K2635 レーザーマーカ LR2100ST HOYA LR2100ST 30分あたり 2,808
K6050 フーリエ変換赤外分光光度計(FT-IR)
FT/IR-6300・IRT-7000
日本分光 FT/IR-6300・IRT-7000 1時間あたり 8,640
K2210 微小部蛍光X線分析装置(XRF)
SEA6000VX HSFinder
SII社 SEA6000VX HSFinder 1時間あたり 5,400
K6110 金属顕微鏡 BX-51 オリンパス光学工業 BX-51 1時間あたり 1,512
K2915 デジタルマイクロスコープ VHX-600 キーエンス VHX-600 30分あたり 1,512
K2720 マイクロフォーカスX線検査装置 MXT-160UU メディエックステック MXT-160UU 30分以内 3,672
K2725 マイクロフォーカスX線検査装置 MXT-160UU メディエックステック MXT-160UU 追加15分あたり 1,512
K6370 表面粗さ形状測定機 サーフコム550A 東京精密 サーフコム550A 1時間あたり 1,296
K3550 紫外・可視分光光度計 UH4150 日立ハイテクサイエンス
UH4150
1時間以内 7,776
K3552 紫外・可視分光光度計 UH4150 日立ハイテクサイエンス
UH4150
追加30分あたり 2,592
K3540 接触角計  DM300 協和界面科学 DM300 1時間あたり 3,240
(2)温湿度環境試験機器
No. 設備機器名 メーカー・形式 単位 使用料 担当部名
K6430 恒温槽:室温~300℃ PVH-110M エスペック PVH-110M 1時間あたり 432 川崎技術支援部
K6420 恒温恒湿槽(小):-40~150℃ ETAC TH411HA 楠本化成 ETAC TH411HA 1時間あたり 648
K6410 恒温恒湿槽(中):-40~150℃  ETAC FX424P 楠本化成 ETAC FX424P 1時間あたり 864
K6460 恒温恒湿槽:-40~100℃ PL-3FPW エスペック PL-3FPW 1時間あたり 864
K6440 プレッシャークッカー ETAC PM420 楠本化成 ETAC PM420 1時間あたり 864
K6450 冷熱衝撃試験機(小) ETAC TS100 楠本化成 ETAC TS100 1時間あたり 1,080
K2810 冷熱衝撃試験機(中) TSA-71H エスペック TSA-71H 1時間あたり 1,296
K2820 超低温恒温恒湿槽:-70~150℃ PSL-2KPH エスペック PSL-2KPH 1時間あたり 864

(3)電磁環境試験機器、電気計測機器

No. 設備機器名 メーカー・形式 単位 使用料 担当部名
K2310 電波暗室
(測定帯域 30MHz~1GHz) TDK製(3m法)
TDK製(3m法) 1時間以内 7,992 川崎技術支援部
K2311 電波暗室
(測定帯域 30MHz~1GHz) TDK製(3m法)
TDK製(3m法) 追加30分あたり 3,456
K2315 電波暗室
(測定帯域 1GHz~18GHz) TDK製(3m法)
TDK製(3m法) 1時間以内 9,072
K2316 電波暗室
(測定帯域 1GHz~18GHz) TDK製(3m法)
TDK製(3m法) 追加30分あたり 4,104
K2430 シールドルーム SH-H1313 ノイズ研究所製  SH-H1313 1時間以内 3,024
K2431 シールドルーム SH-H1313 ノイズ研究所製  SH-H1313 追加30分あたり 1,080
K2440 シールドテント TM-2.5-1.7-2-2 富山電気ビルディング製 TM-2.5-1.7-2-2 1時間以内 2,808
K2441 シールドテント TM-2.5-1.7-2-2 富山電気ビルディング製 TM-2.5-1.7-2-2 追加30分あたり 1,296
K2450 EMI測定システムA
 (放射雑音測定) N9010A EXA
キーサイトN9010A 1時間以内 5,184
K2451 EMI測定システムA
 (放射雑音測定) N9010A EXA
キーサイトN9010A 追加30分あたり 1,512
K2460 EMI測定システムA
 (伝導性雑音測定) N9010A EXA
キーサイトN9010A 1時間以内 4,104
K2461 EMI測定システムA
 (伝導性雑音測定) N9010A EXA
キーサイトN9010A 追加30分あたり 1,080
K2350

インピーダンス安定化回路網(ISN)
ISN T8、T8CAT6

TESEQ社 ISN T8、T8CAT6 1時間以内 1,296
K2351 インピーダンス安定化回路網(ISN)
ISN T8、T8CAT6
TESEQ社 ISN T8、T8CAT6 追加30分あたり 216
K2330 電源高調波電流測定器 PM3000ACE他 Voltec PM3000ACE他 1時間以内 2,808
K2331 電源高調波電流測定器 PM3000ACE他 Voltec PM3000ACE他 追加30分あたり 864
K2380 パルスイミュニティ試験器
Compact NX5
EM Test NX5 1時間以内 2,916
K2381 パルスイミュニティ試験器
Compact NX5
EM Test NX5 追加30分あたり 1,188
K2360 静電気試験器 ESS-S3011&GT-30R ノイズ研究所 ESS-S3011&GT-30R 1時間以内 2,808
K2361 静電気試験器 ESS-S3011&GT-30R ノイズ研究所 ESS-S3011&GT-30R 追加30分あたり 1,296
K2776 伝導イミュニティ試験器
NSG2070
SCHAFFNER NSG2070 1時間以内 3,024
K2777 伝導イミュニティ試験器
NSG2070
SCHAFFNER NSG2070 追加30分あたり 1,512
K2370 ノイズシュミレータ INS-4040 ノイズ研究所 INS-4040 1時間以内 3,024
K2371 ノイズシュミレータ INS-4040 ノイズ研究所 INS-4040 追加30分あたり 1,512
K2778 電磁波妨害源探査装置 EPS-M1 ノイズ研究所 EPS-M1 1時間以内 2,592
K2779 電磁波妨害源探査装置 EPS-M1 ノイズ研究所 EPS-M1 追加30分あたり 1,296
K2340 ノイズ発生器 CNE III ヨーク社 CNE III 1時間あたり 864
K6510 オシロスコープ WaveRunner62Xi レクロイ WaveRunner62Xi 1時間あたり 2,376
K6511 カーブ・トレーサ 571型 ソニーテクトロニクス 571型 1時間あたり 648
K6515 ACミリオームハイテスター 3560 日置電機 3560 1時間あたり 648
K6517 超絶縁計 SM-8220 日置電機 SM-8220 1時間あたり 216
K6518 交流耐電圧試験器 3158 日置電機 3158 1時間あたり 216

(4)機器操作指導料

No. 項目 単位 使用料 担当部名
K7030 機器操作指導料 (開放利用時に適用) 立会人1人、15分あたり 2,592 川崎技術支援部