酸化拡散試験

 

酸化拡散試験、熱酸化、不純物拡散、酸化拡散炉

項目 内容
試験名 酸化拡散試験
手数料No E1120
分類 半導体関係の試験
内容 酸素や水蒸気を利用し、Si(シリコン)ウェハへ熱酸化により、酸化膜の形成を行います。また、Siウエハの不純物拡散を行います。
補足説明 4インチウェハに対応(推奨は3インチまで)/温度範囲400~1200℃/ドライ酸化、ウエット酸化
使用機器例 酸化拡散装置
試験対象 Siウェハ
備考 1時間当たり
担当 電子技術部

  • 「使用機器例」とは当試験のために使用する機器の名称で、クリックすると詳細説明がご覧になれます。
  • 「手数料」とは当研究所職員がお客様のご依頼を受けて試験等を実施する場合の料金です。
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