µ-XPS・μ-ESCA

走査型X線光電子分光分析装置(µ-XPS・µ-ESCA)

概要

試料表面の極薄い層(数nm)の元素分析(水素、ヘリウム以外)、半定量分析(検出限界~0.1at%程度)および化学結合状態分析ができます。
金属や半導体、酸化物、セラミックス、有機物などの絶縁物試料等、あらゆる固体が対象です。

装置

アルバック・ファイ社 Quantera SXM

アルバック・ファイ社 Quantera SXM

ビーム径9µm~200µmでの微小部分析
化学結合状態別のラインおよびマッピング分析

-応用例-
薄膜、多層膜分析
物質表面の変色、汚染、付着分析
電子材料の不具合分析
目視、顕微鏡では確認できない汚染物分析
表面処理、ぬれ性など表面改質分析
腐食、接合などのトラブル解析

用途

♣ 目視、顕微鏡では確認できない表面の汚染、吸着、付着物分析
♣ 表面改質評価
♣ 金属薄膜の組成、化学結合状態の評価
♣ 物質表面のしみ、変色分析
♣ 電子材料の故障解析

原理

光電子の発生原理

試料表面にX線を照射するとX線に励起された原子から電子(光電子)が放出される。
照射するX線のエネルギーが一定なので、光電子の運動エネルギーを測定すれば電子の結合エネルギーが求められる。

光電子の発生原理 説明文
XPSの分析深さ

内殻電子の結合エネルギーは原子によって固有の値を有するので、結合エネルギーを測定することによって元素の同定を行うことができる。
また、原子の化学結合状態が異なると結合エネルギーの値は微妙に変化する。変化した値を測定することによって、元素の化学結合状態分析を行うことができる。

測定事例

金接点上のしみ

解析例

高分子材料の表面処理の解析

Auめっき上の極薄いシミの分析

川崎技術支援部
TEL:044-819-2105 FAX:044-819-2108

お問い合わせフォーム