LSI コンタクトホールの2方向観察

事例

LSIコンタクトホール異常部を断面・平面の2方向
から透過電子顕微鏡で観察することで、異常の
原因を明らかにしたい。

使用機器

高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM)
集束イオンビーム装置(FIB-SEM)
低エネルギーイオンミリング(ジェントルミル)

測定手順

・FIBによる断面試料作製

・低エネルギーイオンミリングによる薄片化

・TEMによる断面観察

・FIBによる平面試料作製

・低エネルギーイオンミリングによる薄片化

・ TEMによる平面観察(確認)

・低エネルギーイオンミリングによる欠陥部の抽出(複数回)

・ TEMによる平面観察

測定例

断面TEM観察

断面TEM観察

作製方法:FIB-マイクロプロービング法
作製装置:集束イオンビーム装置
       XVision200TB (エスアイアイ・ナノテクノロジーズ)
最終加工:低エネルギーイオン研磨装置
       GENTLE MILL IV5 (リンダ社)
観察装置:電界放射型透過電子顕微鏡
       EM002BF (トプコンテクノハウス)

断面TEM観察

平面TEM観察

平面TEM観察

納期予定

要相談。

利用料金項目

項目 単位 数量
試料調製
 FIB-マイクロプロービング法
1試料つき 2
低エネルギーイオンミリング
 (ジェントルミル)
1試料1条件につき 8
分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)
 倍率 50万倍以下
1視野つき 4
試料傾斜調整 1条件につき 2
川崎技術支援部
TEL:044-819-2105 FAX:044-819-2108

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