LSIコンタクトホールのTEMマッピング

事例

LSIコンタクトホールの断面を観察したい。 加えて同箇所においてEDSによる面分析も行いたい。

使用機器

高分解能分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)
集束イオンビーム装置(FIB-SEM)
低エネルギーイオンミリング(ジェントルミル)

測定例

断面TEM観察

納期予定

要相談。

利用料金項目

項目 単位 数量
試料調製
 FIB-マイクロプロービング法
1試料つき 1
分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)
 倍率 50万倍以下
1視野つき 1
エネルギー分散型X線分析装置
 面分析
1視野5元素ごとに、または2時間につき 1
川崎技術支援部
TEL:044-819-2105 FAX:044-819-2108

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